业内呼唤新型存储技术，纳米技术找到大舞台锻钢法兰

业内呼唤新型存储技术，纳米技术找到大舞台

作者：david lammers

斯坦福大学集成系统中心主任yoshio nishi表示：随着存储位组将包揽绝大多数未来的soc系统级芯片方案，业内需要新型的存储技术来控制功耗。他在ieee 2006硅纳米电子论坛上称：“到2016年，芯片将几乎全部是存储器，几乎所有功耗将来锡膏自存储器。”

nishi表示，一些当红釉古玩前大受欢迎的存储技术，如相位改变存储(pcm)，会遭遇功率局限的问题。nishi对pcm抱有疑虑，因为它需要热能来使存储位状态复位。随着位密度增加，相位改变技术可能消耗太多功率。

nishi在大学的部门正在研究一种阻抗形式的存储器，称为电导桥、阻抗变化存储器，包含位之间的金属链。类似的方法可能会被用于新型逻辑。一些商业公司也在研究阻性ram概念，包括一家初创企业unity semiconductor corp.。

据nishi称，在10或15年内，3d电路将成为常规技术。应用3d技术将“对设计和版图产生主要影响。”由于在关断状态下越来越难以限制电流耗散，静态ram和动态ram可能会被“新型通用存储器”所取代。

作者：david lammers

斯坦福大学集成系统中心主任yoshio nishi表示：随着存储位组将包揽绝大多数未来的soc系统级芯片方案，业内需要新型的存储技术来控制功耗。他在ieee 2006硅纳米电子论坛上称：“到2016年，芯片将几乎全部是存储器，几乎所有功耗将来自存储器。”

nishi表示，一些当前大受欢迎的存储技术，如相位改变存储(pcm)，会遭遇功率局限的问题。nishi对pcm抱有疑虑，因为它需要热能来使存储位状态复位。随着位密度增加，相位改变技术可能消耗太多功率。

nishi在大学的部门正在研究一种阻抗形式的存储器，称为电导桥、阻抗变化存储器，包含位之间的金属链。小脚轮类似的方法可能会被用于新型逻辑。一些商业公司也在研究阻性ram普洱概念，包括一家初创企业unity semiconductor corp.。

据nishi称，在10或15年内，3d电路将成为常规技术。应用3d技术将“对设计和版图产生主要影响。”由于在关断状态下越来越难以限制电流耗散，静态ram和动态ram可能会被“新型通用存储器”所取代。

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